CHUYỂN GIAI PHA KIM LOẠI-ĐIỆN CỦA VO2 HỖ TRỢ
BĂNG TẦNG RỘNG RÃI VÀ TÍNH NĂNG HAI CHỨC NĂNG CAO
METASURFACE TRONG TẦN SỐ TERAHERTZ
Tác giả: Nguyen Thi Minh, Nguyen Thi Kim Thu, Nguyen Thi Hong Van, Nguyen Thi Minh Tam, Ho Thi Huyen Thuong, Phan Duy Tung, Vu Dinh Lam, Nguyen Thi Quynh Hoa
Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam
Quyển: 60 (5) (2022) Trang: 1078-1086
Năm xuất bản: 7/2022
Tóm tắt
Việc tích hợp nhiều chức năng khác nhau vào một thiết bị dựa trên EM nhỏ gọn và duy nhất được yêu cầu rất nhiều trong tích hợp EM do cấu hình thu nhỏ của chúng. Trong bài báo này, một siêu giao diện hai chức năng băng thông rộng và hiệu quả cao sử dụng vanadi dioxide (VO2) được đề xuất cho các tần số terahertz (THz). Do quá trình chuyển đổi từ điện môi sang kim loại của VO2, metasurface có thể được điều chỉnh động từ bề mặt phản xạ sang chất hấp thụ băng thông rộng trong điều kiện nhiệt độ thấp. Khi VO2 ở pha điện môi, siêu bề mặt được thiết kế cho thấy độ phản xạ xuất sắc (> 96 %) trong dải tần số rộng từ 0,5 THz đến 4,5 THz. Khi VO2 được làm nóng lên và chuyển sang pha kim loại của nó, cấu trúc metasurface được đề xuất sẽ hấp thụ hiệu quả các sóng EM tới thông thường trong dải tần từ 1,29 THz đến 3,26 THz với mức hấp thụ trung bình là 94,3 %. Ngoài ra, đặc tính hấp thụ cao của siêu bề mặt được đề xuất được duy trì với góc tới rộng và không nhạy cảm với phân cực do cấu trúc đối xứng của nó, khiến nó phù hợp với các ứng dụng THz.
Từ khóa
Vanadi dioxide, metasurface, chất hấp thụ dải rộng