KHẢ NĂNG PHÁT BỨC XẠ KÍCH THÍCH GIỮA CÁC MỨC LANDAU
TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ GaAs/AlGaAs
Tác giả: NGUYỄN THÀNH CÔNG
TẠP CHÍ KHOA HỌC ĐẠI HỌC VINH
Quyển: VOL 50-2A/2021 Trang: 5
Năm xuất bản: 10/2021
Tóm tắt
Trong bài báo này chúng tôi chỉ ra sự nghịch đảo mật độ cư trú giữa các mức Landau trong giếng lượng tử có thể đạt được bởi sự khác biệt đáng kể giữa tốc độ tán xạ electron-electron giữa các vùng con và bên trong một vùng con. Cơ chế này cho phép phát bức xạ kích thích mà tần số của bức xạ đó có thể điều chỉnh được một cách liên tục trong phạm vi rộng của miền tần số THz (miền hồng ngoại) bởi thay đổi cường độ từ trường.
Từ khóa
Giếng lượng tử; mức Landau; tán xạ electron-electron; nghịch đảo mật độ cư trú.