Bài báo khoa học

Một thiết kế đơn giản của bộ hấp thụ siêu vật liệu băng rộng đồng phân cực (MA) mới cho các ứng dụng băng tần C được đề xuất và nghiên cứu số. Tế bào đơn vị của MA đề xuất được thiết kế bằng cách kết hợp cấu trúc bộ cộng hưởng hình mặt trăng (HMSR) và bộ cộng hưởng hình tròn nằm bên trong (ICR), dựa trên chất nền FR4. Hiệu suất hấp thụ của chất hấp thụ được khảo sát bằng phương pháp số. Chất hấp thụ được đề xuất đạt được độ hấp thụ đồng phân cực cao hơn 90% bao phủ toàn bộ băng tần C từ 3,95 GHz đến 8,02 GHz trong điều kiện bình thường đối với các phân cực điện ngang (TE) và từ trường ngang (TM). Hơn nữa, độ hấp thụ trung bình có thể được duy trì trên 80% ngay cả đối với góc tới lên đến 60o dưới cả hai phân cực TE và TM. Cơ chế vật lý của MA đề xuất được nghiên cứu bằng cách sử dụng sự phân bố điện và dòng điện bề mặt, cũng được hỗ trợ bởi các tham số điện từ cấu thành được truy xuất. Thiết kế trong công trình này là một cấu trúc nhỏ gọn (kích thước ô đơn vị ~ λ/6,5 và độ dày ~ λ/11,8 ở tần số trung tâm), băng thông rộng và độ nhạy góc tới rộng, có thể được ứng dụng trong bảo vệ băng tần C và hệ thống tàng hình.